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碳化硅單晶材料

  • 碳化硅單晶片

    產品規格:2-6英寸

    產品類型:導電單晶片

    產品優勢:禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場、本征溫度高、抗輻射、化學穩定性好、電子飽和漂移速度高等優點。

    應用領域:主要應用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導體器件等。

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  • 碳化硅外延片

    產品規格:3-6英寸

    產品類型:同質外延片

    產品特點:禁帶寬度大、臨界擊穿電場高、高熱導率、高電子飽和和遷移速度等。

    應用領域:主要應用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導體器件等。

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碳化硅功率器件

  • 碳化硅肖特基二極管

    額定電壓:650-1200V   

    額定電流:2-60A

    產品特點:相比普通的PN結勢壘二極管具有導通壓降低,開關速度快、0反向恢復、耐高溫的優點。

    應用領域:光伏逆變器、高頻電源、高性能服務器電源、充電樁充電模塊等領域。

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  • 碳化硅場效應晶體管

    額定電壓:650-1200V   

    額定電流:30-100A

    產品特點:更低的導通電阻,更高的工作頻率,開關損耗大幅降低,與Si IGBT器件相比可降低開關損耗70%,高溫特性好、穩定性高。

    應用領域:開關電源、光伏逆變器、充電樁充電模塊、新能源汽車OBC、DC/DC等。

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碳化硅功率模塊

  • 全碳化硅功率模塊

    額定電壓:650-1200V   

    額定電流:100-600A

    產品特點:與傳統硅基IGBT相比,全碳化硅模塊具有更高的功率密度、更快的工作頻率,開關損耗可降低70%以上。

    應用領域:軌道交通逆變牽引、新能源汽車電機控制器、光伏逆變器、ups電源、智能電網等。

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  • 混合碳化硅功率模塊

    額定電壓:1200V

    額定電流:300A、450A、600A

    產品特點:與傳統硅模塊相比,碳化硅混合模塊具有更高的功率密度、更低的開關損耗以及更快的工作頻率。

    應用領域:光伏發電、新能源汽車、軌道交通、不間斷電源、智能電網等。

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其他化合物半導體

  • 其他化合物半導體

    產品類型:磷化銦、銻化鎵、砷化銦

    產品特點:

       · 磷化銦(InP):具有電子極限漂移速度高、耐輻射性好、導熱好的優點。適用于制造高頻、高速、大功率微波器件和集成電路。

      · 銻化鎵(GaSb):是Ⅱ類超晶格非制冷中長波紅外探測器及焦平面陣列的關鍵材料,產品具有長壽命、輕量化、高靈敏度、高可靠性等優點,可廣泛應用在紅外激光器、紅外探測器、紅外傳感器、熱光伏電池。

       · 砷化銦(InAs):可用于制作波長2—12μm的紅外發光器件及中紅外量子級聯激光器。這些紅外器件在氣體檢測、低損耗光纖通信領域有良好的應用前景。

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