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1200V/600A全SiC模塊新品面市,世紀金光產品陣容再擴充

來源:世紀金光網站  發布時間:2019-10-14

2019年8月底,世紀金光半導體模塊產品再添新成員,推出可滿足大功率轉換應用的1200V/600A全SiC模塊新品。本產品通過全新的模塊內部結構及散熱設計,實現了600A額定電流,由此,在工業設備用大容量電源等更大功率產品中的應用成為可能。

據介紹,本次推出的1200V全SiC模塊系列產品,其電流分為600A和300A兩個等級,導通電阻分別為2.2mΩ和4.7mΩ。產品擁有L封裝(兼容Econo DUAL封裝)和K封裝(兼容標準62mm封裝)兩種半橋封裝形式。與前期推出的分立器件產品一樣,SiC模塊MOS芯片采用可靠性較高平面柵工藝,SBD芯片采用第二代JBS工藝,既可有效降低損耗,還保障運行中的高可靠性。

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該系列產品的推出滿足功率轉換應用(譬如電機驅動器、逆變器、DC/DC變換器等)對于高能效SiC解決方案不斷快速增長的需求。

4產品特點及優勢

由于寬禁帶半導體材料特有的材料優勢,SiC 器件漂移區的阻抗比Si器件低,因此不需要進行電導率調制就能夠實現高耐壓和低電阻。可采用不產生拖尾電流MOSFET技術,所以SiC‐MOSFET替代 IGBT 時,能夠明顯地減少開關損耗,并且實現散熱部件的小型化。SiC‐MOSFET能夠更高頻條件下驅動,從而實現被動器件的小型化。同時,與之配對的SiC SBD技術,無少子存儲效應,可實現快速、穩定的恢復特性。

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Cengol全碳化硅功率模塊與同規格的IGBT模塊開關損耗對比

(損耗數據來源業內最常用的一款IGBT模塊數據手冊)

 

備注:以上數據僅表示CENGOL的評估結果,僅供參考。此處的任何特性并非CENGOL的保證值。另,針對600A下SiC模塊的損耗,我們按照“在大電流下損耗同電流是近似線性關系”這一規律,折算出600A條件下SiC的損耗數據。


4目標電路示意

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4新品陣容

世紀金光作為一家從設計研發到封裝測試為一體的第三代半導體IDM企業,其產品陣容囊括具有自主知識產權的6英寸碳化硅單晶片、wafer、多種規格及封裝形式的碳化硅SBD、MOSFET以及碳化硅功率模塊等一系列碳化硅全產業鏈產品。此次新品的推出,將進一步完善世紀金光模塊產品在大電流中的選型應用。

保持一貫的嚴謹細致的作風,世紀金光新品均經過嚴格的測評,可針對不同行業用戶提供選型送樣驗證服務,歡迎咨詢。

全碳化硅功率模塊:

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